Кремниевые транзисторы
Прибор | Характеристики | Информация |
---|---|---|
Бескорпусные кремниевые планарные высоковольтные мощные n-p-n типа транзисторы "2Т8224А-5", поставляемые на общей пластине (неразделенные), предназначены для внутреннего монтажа в гибридных интегральных микросхемах, микросборках и дискретных приборах. Диапазон рабочих температур окружающей среды от минус 60 до 100 С. Обозначение технических условий - АЕЯР.432140.304 ТУ. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы «2П771А-5» с изолированным затвором, обогащением n-канала, и встроенным обратносмещенным диодом предназначены для использования в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Зарубежные прототипы - STP40N10. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы «2П771А» с изолированным затвором, обогащением n-канала, и встроенным обратносмещенным диодом предназначены для использования в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Зарубежные прототипы - STP40N10. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы «2П771А91» с изолированным затвором, обогащением n-канала, и встроенным обратносмещенным диодом предназначены для использования в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Зарубежные прототипы - STP40N10. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы 2П771А-6 с изолированным затвором, обогащением n-канала, и встроенным обратносмещенным диодом предназначены для использования в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Зарубежные прототипы - STP40N10. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Кремниевые эпитаксиально - планарные полевые n-канальные со встроенным диодом транзисторы «2П7145Б1/ИМ» предназначены для работы в преобразователях напряжения, источниках вторичного электропитания, пускорегуляторах и другой аппаратуре специального назначения Зарубежные прототипы - IRFP250 фирмы International Rectifier. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Кремниевые эпитаксиально - планарные полевые n-канальные со встроенным диодом транзисторы 2П7145А1/ИМ в металлокерамическом корпусе КТ-97С предназначены для работы в преобразователях напряжения, источниках вторичного электропитания, пускорегуляторах и другой аппаратуре специального назначения Зарубежные прототипы - IRFP250 фирмы International Rectifier. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Кремниевые эпитаксиально - планарные полевые n-канальные со встроенным диодом транзисторы «2П7145А-5/ИМ» предназначены для работы в преобразователях напряжения, источниках вторичного электропитания, пускорегуляторах и другой аппаратуре специального назначения Зарубежные прототипы - IRFP250 фирмы International Rectifier. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Бескорпусные кремниевые планарные биполярные транзисторы "2Е802А-5"с изолированным затвором, поставляемые на общей пластине (неразделенными), предназначены для внутреннего монтажа в гибридных интегральных микросхемах (ГС), микросборках и блоках, а также для сборки дискретных приборов, обеспечивающих герметизацию и защиту транзисторов от воздействия света, влаги, соляного тумана, плесневых грибк |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|